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Si3464DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
15
10
V GS = 5 V thru 1.5 V
5
4
3
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
2
5
1
0
V GS = 1 V
0
T C = 125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0.031
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.027
0.023
0.019
0.015
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1200
900
600
300
0
C rss
C iss
C oss
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 7.5 A
V DS = 10 V
4
V DS = 5 V
1.4
1.2
V GS = 2.5 V; I D = 7 A
V DS = 16 V
V GS = 4.5 V; I D = 7.5 A
2
0
1.0
0.8
0.6
0
3
6
9
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65712
S10-0218-Rev. A, 25-Jan-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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